宽广外延片厂家运用的蓝宝石基片分为三种:

　　1:C-Plane蓝宝石基板

　　这是宽广厂家广泛运用的供GaN成长的蓝宝石基板面.这首要是由于蓝宝石晶体沿C轴成长的工艺老到、本钱相对较低、物化功用安稳,在C面进行磊晶的技术老到安稳.

　　2:R-Plane或M-Plane蓝宝石基板

　　首要用来成长非极性/半极性面GaN外延薄膜,以前进发光功率.通常在蓝宝石基板上制备的GaN外延膜是沿c轴成长的，而c轴是GaN的极性轴，致使GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场，发光功率会因此降低，开展非极性面GaN外延，打败这一物理现象，使发光功率前进。

　　3:图像化蓝宝石基板(Pattern Sapphire Substrate简称PSS)$ |+ e“ z( F% ?, T' g* f$ _

　　以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的办法,在蓝宝石基板上计划制作出纳米级特定规则的微结构图像藉以控制LED之输出光方式，并可一同减少成长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺点，改进磊晶质量，并前进LED内部量子功率、添加光萃取功率.

　　C-Plane蓝宝石基板是广泛运用的蓝宝石基板.1993年日本的赤崎勇教授与当时在日亚化学的中村修二博士等人，突破了InGaN 与蓝宝石基板晶格不匹配(缓冲层)、p 型材料活化等等疑问后，总算在1993 年底日亚化学得以首要开宣告蓝光LED.今后的几年里日亚化学以蓝宝石为基板,运用InGaN材料,通过MOCVD 技术并不断加以改进蓝宝石基板与磊晶技术,前进蓝光的发光功率,一同1997年开宣告紫外LED，1999年蓝紫色LED样品初步出货，2001年初步供应白光LED。然后奠定了日亚化学在LED领域的先头位置.